扬杰科技获得发明专利授权：“一种多导电沟道的平面栅MOSFET及制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示扬杰科技（300373）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种多导电沟道的平面栅MOSFET及制备方法”，专利申请号为CN202410945473.2，授权日为2026年7月21日。

专利摘要：一种多导电沟道的平面栅MOSFET及制备方法，涉及半导体技术领域。在器件的的P体区和P+沟道区之间形成一个薄的N+层，关态状态下G极电极不加电压，该N+层在P体区和P+沟道区的夹持下被完全耗尽，不导电，开态状态下G极电极加正电压，栅氧一侧P+沟道区形成反型层导电沟道，同时由于G极电极加正电压，P体区和P+沟道区夹持的N+层由完全耗尽状态转变为正常导电状态，N+层和反型层导电沟道并联，共同承担器件的通流，降低了平面栅垂直导电MOSFET导通电阻。

今年以来扬杰科技新获得专利授权22个，较去年同期减少了65.62%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了4.71亿元，同比增11.24%。

通过天眼查大数据分析，扬州扬杰电子科技股份有限公司共对外投资了27家企业，参与招投标项目352次；财产线索方面有商标信息9条，专利信息804条，著作权信息6条；此外企业还拥有行政许可250个。

数据来源：天眼查APP

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