晶合集成获得发明专利授权：“半导体器件及其制造方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体器件及其制造方法”，专利申请号为CN202610142832.X，授权日为2026年7月21日。

专利摘要：本申请涉及一种半导体器件及其制造方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有栅极结构；于所述衬底和所述栅极结构上形成硬掩膜层，所述硬掩膜层覆盖所述栅极结构的侧壁；向所述栅极结构两侧侧壁的硬掩膜层分别以倾斜角度注入大质量离子；去除部分所述硬掩膜层，以形成覆盖所述栅极结构的侧壁的栅极侧墙，所述栅极侧墙的截面宽度沿朝向所述衬底的方向逐渐增大，且所述栅极侧墙的底部形成有凸起部。本申请有效降低了栅极侧墙的密度，抑制了栅极侧墙中氢元素和氮元素向衬底的扩散情况，从而有助于减少甚至避免后续形成晕环注入区和轻掺杂区时硼元素扩散被抑制以及硼元素失活的问题，进而有助于提高半导体器件中长沟道的阈值电压。

今年以来晶合集成新获得专利授权305个，较去年同期增加了36.16%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了14.53亿元，同比增13.2%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了13家企业，参与招投标项目650次；财产线索方面有商标信息76条，专利信息1738条，著作权信息12条；此外企业还拥有行政许可29个。

数据来源：天眼查APP

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