晶合集成获得发明专利授权：“自对准阻挡结构的形成方法及半导体结构”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“自对准阻挡结构的形成方法及半导体结构”，专利申请号为CN202610214878.8，授权日为2026年7月21日。

专利摘要：本申请涉及一种自对准阻挡结构的形成方法及半导体结构，涉及集成电路技术领域。本申请的自对准阻挡结构的形成方法，在湿法刻蚀之前，在阻挡图形的侧壁形成保护阻挡图形线宽的保护侧墙，在湿法刻蚀过程中，保护侧墙延缓或避免湿法刻蚀剂与阻挡图形接触，从而改善湿法刻蚀剂横向刻蚀阻挡图形的问题，提高了形成的自对准阻挡结构的线宽精度，能够改善或消除自对准阻挡结构的线宽减小造成的漏电问题，提高了器件的稳定性；无需改变刻蚀工艺或湿法刻蚀剂，与自对准阻挡结构的当前制作工艺具有良好的兼容性，工艺简单、成本低。

今年以来晶合集成新获得专利授权305个，较去年同期增加了36.16%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了14.53亿元，同比增13.2%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了13家企业，参与招投标项目650次；财产线索方面有商标信息76条，专利信息1738条，著作权信息12条；此外企业还拥有行政许可29个。

数据来源：天眼查APP

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