晶合集成获得发明专利授权：“一种半导体结构的制备方法和半导体结构”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体结构的制备方法和半导体结构”，专利申请号为CN202610416662.X，授权日为2026年7月21日。

专利摘要：本发明提供一种半导体结构的制备方法和半导体结构，具体涉及半导体领域。所述半导体的制备方法包括：提供基底，所述基底包括衬底、形成于所述衬底上的栅极结构以及分别位于所述栅极结构两侧衬底内的离子掺杂区；在所述基底的表面形成牺牲层；对所述牺牲层进行高能离子溅射处理；在所述牺牲层的表面形成初始应力层；对所述初始应力层进行固化处理，形成应力层。本发明半导体结构的制备方法，通过形成牺牲层并对其进行离子溅射处理，可以消除应力层的应力集中点，减少裂纹的产生。

今年以来晶合集成新获得专利授权305个，较去年同期增加了36.16%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了14.53亿元，同比增13.2%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了13家企业，参与招投标项目650次；财产线索方面有商标信息76条，专利信息1738条，著作权信息12条；此外企业还拥有行政许可29个。

数据来源：天眼查APP

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