晶合集成获得发明专利授权：“半导体结构及其制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构及其制备方法”，专利申请号为CN202610544911.3，授权日为2026年7月21日。

专利摘要：本公开涉及一种半导体结构及其制备方法，涉及集成电路技术领域，包括：衬底，衬底包括第一型阱区，阱区顶面包括栅氧层及位于栅氧层背离衬底一侧的T型导电层；T型导电层的外侧壁及底面覆盖有功函数层；T型导电层包括水平部及凸出部，凸出部依次经由功函数层、栅氧层接触阱区顶面；水平部周向环绕有侧墙；侧墙、栅氧层之间包括空气间隙；其中，侧墙外围的阱区内包括第二型的源区/漏区。至少能够增加MOS器件的横向击穿电压，降低器件的漏电流并提高器件的可靠性。

今年以来晶合集成新获得专利授权305个，较去年同期增加了36.16%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了14.53亿元，同比增13.2%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了13家企业，参与招投标项目650次；财产线索方面有商标信息76条，专利信息1738条，著作权信息12条；此外企业还拥有行政许可29个。

数据来源：天眼查APP

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