晶合集成获得发明专利授权：“一种半导体结构及其制造方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体结构及其制造方法”，专利申请号为CN202511923252.6，授权日为2026年7月21日。

专利摘要：本发明提供一种半导体结构及其制造方法，具体涉及半导体技术领域。所述半导体结构的制造方法包括提供衬底，所述衬底上形成有栅极结构和侧墙结构，所述侧墙结构位于所述栅极结构的两侧，所述栅极结构两侧的衬底内形成有源漏区；对所述源漏区进行湿法预刻蚀，形成第一凹槽；对所述第一凹槽进行干法刻蚀，形成第二凹槽；对所述第二凹槽进行湿法刻蚀，形成西格玛沟槽；在所述西格玛沟槽中进行锗硅外延生长，形成锗硅外延层。该方法可显著降低刻蚀对栅极上方及侧墙硬掩膜的消耗，保护栅极上方的硬掩膜，还可以控制锗硅关键尺寸的一致性。

今年以来晶合集成新获得专利授权305个，较去年同期增加了36.16%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了14.53亿元，同比增13.2%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了13家企业，参与招投标项目650次；财产线索方面有商标信息76条，专利信息1738条，著作权信息12条；此外企业还拥有行政许可29个。

数据来源：天眼查APP

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