晶合集成获得实用新型专利授权：“一种半导体结构”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项实用新型专利授权，专利名为“一种半导体结构”，专利申请号为CN202521520533.2，授权日为2026年7月21日。

专利摘要：本实用新型提供了一种半导体结构，包括：衬底；栅极，位于衬底的一侧，栅极包括与衬底背离的栅极顶面以及位于栅极两侧的栅极侧壁；第一侧墙层，至少覆盖栅极顶面和栅极侧壁，第一侧墙层在栅极顶面与栅极侧壁的拐角处形成悬突结构。根据本实用新型提供的半导体结构，通过在栅极的顶面与侧壁的拐角处形成悬突结构，悬突结构用于阻挡刻蚀工艺中等离子体对侧墙的侧蚀，避免了对侧墙和栅极造成损伤，进而避免了离子注入工艺中轻掺杂区域浓度增大导致的热载流子注入（HCI）效应，提高了半导体器件性能。

今年以来晶合集成新获得专利授权291个，较去年同期增加了34.1%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了14.53亿元，同比增13.2%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了13家企业，参与招投标项目650次；财产线索方面有商标信息76条，专利信息1738条，著作权信息12条；此外企业还拥有行政许可29个。

数据来源：天眼查APP

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