长鑫科技获得发明专利授权：“半导体结构、半导体结构的形成方法、存储器及电子设备”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示长鑫科技（688825）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构、半导体结构的形成方法、存储器及电子设备”，专利申请号为CN202610427522.2，授权日为2026年7月17日。

专利摘要：本公开涉及半导体领域，特别涉及一种半导体结构、半导体结构的形成方法、存储器及电子设备。半导体结构包括：衬底；第一隔离结构，沿第一方向和第二方向相互间隔且阵列设置于衬底中，第一方向和第二方向相互垂直；第二隔离结构，沿第二方向延伸，且沿第一方向相互间隔且阵列设置于衬底中，其中，第二隔离结构位于相邻第一隔离结构的间隙中；在第二方向上，第一隔离结构的侧壁与第二隔离结构的侧壁相贴附。本公开提供的半导体结构用以避免刻蚀缺陷结构导致的关键尺寸损失以及可能出现的器件电性能问题。

今年以来长鑫科技新获得专利授权7个。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了95.93亿元，同比增108.22%。

通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了16家企业，参与招投标项目1087次；财产线索方面有商标信息407条，专利信息706条，著作权信息23条；此外企业还拥有行政许可39个。

数据来源：天眼查APP

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