晶合集成获得发明专利授权：“半导体结构、制备方法、键合方法及半导体器件”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构、制备方法、键合方法及半导体器件”，专利申请号为CN202610449908.3，授权日为2026年7月17日。

专利摘要：本申请涉及半导体技术领域，具体公开了一种半导体结构、制备方法、键合方法及半导体器件，半导体结构的制备方法包括：提供具有金属互联层的半导体衬底；在半导体衬底上形成介质层；刻蚀介质层以形成凹槽；在凹槽内共形形成吸气层后再填满保护层；刻蚀保护层、吸气层和介质层，形成从凹槽内贯穿连接至金属互联层的通孔；在通孔内填充金属材料层；减薄处理后形成键合面。其中，吸气层能够吸附键合退火过程中由介质层缩合等反应产生的气体，降低键合界面形成空洞的风险；当晶圆键合面对准存在微小偏差时，保护层能够阻隔金属原子向对侧晶圆的介质层扩散；同时，吸气层能够缓冲金属柱膨胀产生的应力，避免键合界面处介质层的应力损伤。

今年以来晶合集成新获得专利授权284个，较去年同期增加了30.88%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了14.53亿元，同比增13.2%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了13家企业，参与招投标项目650次；财产线索方面有商标信息76条，专利信息1738条，著作权信息12条；此外企业还拥有行政许可29个。

数据来源：天眼查APP

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