兴福电子获得发明专利授权：“一种高选择比二氧化硅薄膜蚀刻液”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示兴福电子（688545）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种高选择比二氧化硅薄膜蚀刻液”，专利申请号为CN202411417601.2，授权日为2026年7月7日。

专利摘要：本发明公开了一种提升THOX氧化膜与TEOS氧化膜蚀刻选择比的缓冲氧化蚀刻液，主要成分为氢氟酸，氟化铵，添加剂一，添加剂二以及超纯水。本发明的蚀刻液用于同时蚀刻THOX氧化膜与TEOS氧化膜，并可抑制TEOS氧化膜的蚀刻。添加剂一与TEOS氧化膜上大量的Si?OH官能团进行反应吸附，形成阻碍氢氟酸蚀刻的保护膜，可有效抑制TEOS氧化膜的腐蚀。添加剂二可降低蚀刻液的表面张力，使蚀刻液有较高的浸润性，增加蚀刻液的蚀刻均一性。本发明所述的蚀刻液对THOX氧化膜与TEOS氧化膜有较高的选择性，可使两者选择比达8.32。

今年以来兴福电子新获得专利授权31个，较去年同期增加了55%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了9291.33万元，同比增20.79%。

通过天眼查大数据分析，湖北兴福电子材料股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目238次；财产线索方面有商标信息7条，专利信息541条，著作权信息6条；此外企业还拥有行政许可287个。

数据来源：天眼查APP

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