有研硅获得发明专利授权：“一种区熔硅单晶的分段式转肩方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示有研硅（688432）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种区熔硅单晶的分段式转肩方法”，专利申请号为CN202211559984.8，授权日为2026年6月30日。

专利摘要：本发明公开了一种区熔硅单晶的分段式转肩方法，包括步骤：(1)设定分段式转肩直径位置，设定值比目标直径小5mm；(2)设定单晶加热功率曲线参数及生长角度；在单晶直径到达转肩直径前，单晶加热功率按照单晶直径的增长而增加；在单晶直径超过转肩直径后，单晶加热功率不再与单晶直径正相关，而与单晶生长长度正相关；单晶直径接近目标直径时，单晶生长角度会有先减小后增加，然后逐渐减小，单晶直径到达目标直径时，减少至0；(3)按照设定的加热功率参数和生长角度进行单晶生长。本发明可将转肩直径波动可降低至1mm以内，减小了转肩长度，并且显著提高了转肩成功率和产品收率。

今年以来有研硅新获得专利授权4个，较去年同期增加了300%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了9241.43万元，同比增18.05%。

通过天眼查大数据分析，有研半导体硅材料股份公司共对外投资了5家企业，参与招投标项目66次；财产线索方面有专利信息352条；此外企业还拥有行政许可74个。

数据来源：天眼查APP

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