晶合集成获得发明专利授权：“半导体器件及其制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体器件及其制备方法”，专利申请号为CN202610164443.7，授权日为2026年6月30日。

专利摘要：本申请提供了一种半导体器件及其制备方法，属于半导体技术领域，该半导体器件，包括：衬底，衬底上具有有源区，有源区内具有侧壁倾斜的沟槽；栅极结构，包括栅极氧化层和栅极导电层，栅极氧化层覆盖沟槽相对的两个倾斜侧壁，且暴露沟槽的至少部分底壁，栅极导电层位于栅极氧化层上；沟道区，位于栅极氧化层下的有源区中；漂移区；源区及漏区，漏区位于漂移区中，源区位于沟槽边缘的有源区中；第一侧墙结构及第二侧墙结构，第一侧墙结构位于栅极结构靠近源区一侧，且凸出于源区及栅极结构表面，第二侧墙结构位于漂移区上，且覆盖栅极结构于漏区一侧的侧壁。本申请在保证沟道的长度/宽度的基础上缩小了器件的面积，可以提高芯片集成度。

今年以来晶合集成新获得专利授权268个，较去年同期增加了40.31%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了14.53亿元，同比增13.2%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了13家企业，参与招投标项目649次；财产线索方面有商标信息76条，专利信息1709条，著作权信息12条；此外企业还拥有行政许可27个。

数据来源：天眼查APP

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