晶合集成获得发明专利授权：“半导体器件的制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体器件的制备方法”，专利申请号为CN202512022079.9，授权日为2026年6月30日。

专利摘要：本申请提供了一种半导体器件的制备方法，包括在衬底上形成第一栅极结构和第二栅极结构，第一栅极结构位于逻辑区域内，第二栅极结构位于像素区域内；对第一栅极结构两侧的衬底进行离子注入，以在衬底内形成第一源漏区；在衬底上形成第一阻挡层，第一阻挡层还顺形覆盖第一栅极结构和第二栅极结构的外表面；对第二栅极结构两侧的衬底进行离子注入，以在衬底内形成第二源漏区；去除第一阻挡层，并至少在衬底的表面位于像素区域内的部分注入氟离子；执行第一退火工艺；在衬底上形成第二阻挡层，第二阻挡层还顺形覆盖第一栅极结构和第二栅极结构的外表面。本申请能够修复衬底表面由于去除第一阻挡层时产生的损伤，同时避免第二阻挡层产生鼓包现象。

今年以来晶合集成新获得专利授权268个，较去年同期增加了40.31%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了14.53亿元，同比增13.2%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了13家企业，参与招投标项目649次；财产线索方面有商标信息76条，专利信息1709条，著作权信息12条；此外企业还拥有行政许可27个。

数据来源：天眼查APP

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