晶合集成获得发明专利授权：“MIM电容结构及其制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“MIM电容结构及其制备方法”，专利申请号为CN202610296709.3，授权日为2026年6月30日。

专利摘要：本申请提供了一种MIM电容结构及其制备方法，属于半导体技术领域，该制备方法包括：在衬底上形成第一绝缘层，并采用预设光罩执行第一光刻工艺及刻蚀工艺在第一绝缘层中形成沟槽；依次形成第一导电层、第一介电层、第二导电层及第二介电层；采用预设光罩对第二介电层、第二导电层及第一介电层执行第二光刻工艺及刻蚀工艺，形成凸起结构，并暴露沟槽两侧的第一导电层的表面；形成第一侧墙结构，覆盖凸起结构的侧壁；依次形成第三导电层及第二绝缘层，第三导电层顺形地覆盖第一导电层、第一侧墙结构及凸起结构的表面，第二绝缘层覆盖第三导电层的表面。本申请可提高MIM电容结构的容值密度。

今年以来晶合集成新获得专利授权268个，较去年同期增加了40.31%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了14.53亿元，同比增13.2%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了13家企业，参与招投标项目649次；财产线索方面有商标信息76条，专利信息1709条，著作权信息12条；此外企业还拥有行政许可27个。

数据来源：天眼查APP

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