晶丰明源获得实用新型专利授权：“LDMOS器件”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶丰明源（688368）新获得一项实用新型专利授权，专利名为“LDMOS器件”，专利申请号为CN202521405427.X，授权日为2026年6月23日。

专利摘要：本实用新型提供一种LDMOS器件。该LDMOS器件中，基底顶面一侧具有凹槽以及由凹槽限定出的凸出部，漏极区位于凸出部中，漂移区位于凹槽底面下方的基底中且部分位于漏极区的下方，漏极区的侧表面位于漂移区的顶面上方且漂移区的顶面与漏极区的底面相接，体区位于凹槽底面下方的基底中且位于漂移区远离漏极区的一侧，栅极结构位于凹槽中且覆盖部分体区和部分漂移区，源极区位于栅极结构远离漏极区的一侧、位于凹槽底面下方的基底中且位于体区上方。这样通过在基底顶面一侧设置凹槽垫高漏极区，使得漏极曲率效应消失，达到更好的降低表面电场效果。

今年以来晶丰明源新获得专利授权12个，较去年同期增加了100%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了3.86亿元，同比减3.48%。

通过天眼查大数据分析，上海晶丰明源半导体股份有限公司共对外投资了22家企业，参与招投标项目7次；财产线索方面有商标信息54条，专利信息521条，著作权信息8条；此外企业还拥有行政许可3个。

数据来源：天眼查APP

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