拓荆科技获得发明专利授权：“一种半导体阻挡层的制备方法及阻挡层薄膜”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示拓荆科技（688072）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体阻挡层的制备方法及阻挡层薄膜”，专利申请号为CN202211613898.0，授权日为2026年6月12日。

专利摘要：本发明提供了一种半导体阻挡层的制备方法及阻挡层薄膜，该制备方法包括：在采用原子层沉积工艺制备该阻挡层的每个周期内，加热半导体基底，在第一脉冲时间内向反应腔室内的该半导体基底上通入金属化合物气体，接着在第二脉冲时间内通入载气进行吹扫，再在第三脉冲时间内通入NH3，以及在第四脉冲时间内再次通入该载气进行吹扫，重复多个周期直至满足预设工艺要求；反应初始经过一个或多个周期后，在该第一脉冲时间内同时通入硅源气体；以及随着反应的进行，逐步加大该硅源气体和该金属化合物气体的流量比例，以使得该阻挡层中沿靠近该半导体基底的方向，沉积反应得到的氮化硅与金属氮化物的含量形成浓度梯度。

今年以来拓荆科技新获得专利授权13个，较去年同期减少了40.91%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了7.7亿元，同比增1.8%。

通过天眼查大数据分析，拓荆科技股份有限公司共对外投资了11家企业，参与招投标项目106次；财产线索方面有商标信息110条，专利信息731条，著作权信息32条；此外企业还拥有行政许可39个。

数据来源：天眼查APP

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