甬矽电子获得发明专利授权：“电磁屏蔽结构和电磁屏蔽结构制作方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示甬矽电子（688362）新获得一项发明专利授权，专利名为“电磁屏蔽结构和电磁屏蔽结构制作方法”，专利申请号为CN202310984905.6，授权日为2026年5月26日。

专利摘要：本公开提供的一种电磁屏蔽结构和电磁屏蔽结构制作方法，涉及半导体封装技术领域。该电磁屏蔽结构包括衬底、第一电子器件、屏蔽阻隔层、增强屏蔽层、塑封体和金属层，衬底上设有接地焊盘，第一电子器件设于衬底上，且与衬底电连接。第一电子器件位于屏蔽阻隔层围成的阻隔区域内；屏蔽阻隔层设有转角部；增强屏蔽层设于转角部，增强屏蔽层电连接于接地焊盘；塑封体设于衬底上，且包覆第一电子器件、屏蔽阻隔层和增强屏蔽层；金属层设于塑封体上，金属层分别与屏蔽阻隔层和增强屏蔽层电连接。该结构电磁屏蔽效果好，可有效防止杂波干扰。

今年以来甬矽电子新获得专利授权20个，较去年同期减少了20%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了2.92亿元，同比增34.55%。

通过天眼查大数据分析，甬矽电子（宁波）股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目39次；财产线索方面有商标信息165条，专利信息456条，著作权信息15条；此外企业还拥有行政许可22个。

数据来源：天眼查APP

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