芯导科技获得发明专利授权：“低导通电阻的SGT制备方法、半导体器件及设备”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示芯导科技（688230）新获得一项发明专利授权，专利名为“低导通电阻的SGT制备方法、半导体器件及设备”，专利申请号为CN202210326568.7，授权日为2026年5月22日。

专利摘要：本发明提供了低导通电阻的SGT制备方法，包括：在衬底上依次形成层间介质层、第一外延层以及第二外延层的堆叠层；第一外延层中形成有阱区和源区；形成若干栅极沟槽，生长第一氧化层，所述第一氧化层覆盖所有的栅极沟槽的侧壁以及第二外延层的顶部；在栅极沟槽中形成栅极；刻蚀掉部分栅极沟槽中的全部的栅极，生长栅间氧化层，所述栅间氧化层覆盖所述栅极的顶部；在栅极沟槽中形成屏蔽栅；形成图形化的第二氧化层，覆盖屏蔽栅的顶部；形成第三外延层，覆盖在第二外延层上；对衬底进行减薄；在衬底中形成若干导电插塞。可见，本发明提供的制备方法，消除了衬底电阻，解决了衬底电阻难以消除的问题，实现了器件的主要导通电阻的降低。

今年以来芯导科技新获得专利授权2个，与去年同期持平。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了3107.09万元，同比减12.11%。

通过天眼查大数据分析，上海芯导电子科技股份有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目4次；财产线索方面有商标信息7条，专利信息137条，著作权信息1条；此外企业还拥有行政许可5个。

数据来源：天眼查APP

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