长光华芯获得发明专利授权：“半导体结构的制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示长光华芯（688048）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构的制备方法”，专利申请号为CN202610031609.8，授权日为2026年5月12日。

专利摘要：本发明提供一种半导体结构的制备方法，包括：在待刻蚀层的一侧形成第一牺牲层；在第一牺牲层背离待刻蚀层的一侧形成掩膜层；在掩膜层中形成第一开口和第二开口，第一开口贯穿掩膜层，第二开口朝向待刻蚀层一侧的掩膜层的厚度大于零；刻蚀第一开口底部的第一牺牲层，在第一开口的底部形成贯穿第一牺牲层的第三开口；在形成第三开口的过程中刻蚀第二开口底部的掩膜层，第二开口贯穿掩膜层，第二开口的底壁具有残余掩膜材料；刻蚀去除残余掩膜材料；刻蚀第二开口底部的第一牺牲层和待刻蚀层，在待刻蚀层中形成第一图形口；在形成第一图形口的过程中刻蚀第三开口底部的待刻蚀层，在待刻蚀层中形成第二图形口。

今年以来长光华芯新获得专利授权2个，较去年同期减少了88.24%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了1.15亿元，同比减9.31%。

通过天眼查大数据分析，苏州长光华芯光电技术股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目75次；财产线索方面有商标信息22条，专利信息274条，著作权信息2条；此外企业还拥有行政许可15个。

数据来源：天眼查APP

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