宏微科技获得实用新型专利授权：“SiCMOSFET功率模块”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示宏微科技（688711）新获得一项实用新型专利授权，专利名为“SiCMOSFET功率模块”，专利申请号为CN202521148578.1，授权日为2026年4月24日。

专利摘要：本实用新型属于电力电子模块技术领域，具体涉及一种SiC MOSFET功率模块。该SiC MOSFET功率模块包括：底板；所述底板上设置有上桥臂陶瓷覆铜板和下桥臂陶瓷覆铜板；各桥臂陶瓷覆铜板上均平行设置两个芯片焊接区；各芯片焊接区上均焊接有数量相同的SiC MOSFET芯片；以及所述上桥臂陶瓷覆铜板上的两个芯片焊接区之间的间距与下桥臂陶瓷覆铜板上的相同。通过将上下桥臂的SiC MOSFET芯片排间距设计为相同，以此结构来增加换流回路中互相抵消的磁通，杂感也就越小。

今年以来宏微科技新获得专利授权8个，较去年同期增加了100%。结合公司2025年中报财务数据，2025上半年公司在研发方面投入了5856.61万元，同比增8.64%。

通过天眼查大数据分析，江苏宏微科技股份有限公司共对外投资了13家企业，参与招投标项目54次；财产线索方面有商标信息23条，专利信息288条，著作权信息6条；此外企业还拥有行政许可28个。

数据来源：天眼查APP

以上内容为证券之星据公开信息整理，由AI算法生成（网信算备310104345710301240019号），不构成投资建议。