扬杰科技获得发明专利授权：“一种垂直导电沟道增强型Si基GaN-HEMT器件的制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示扬杰科技（300373）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种垂直导电沟道增强型Si基GaN-HEMT器件的制备方法”，专利申请号为CN202211516914.4，授权日为2026年4月21日。

专利摘要：一种垂直导电沟道增强型Si基GaN?HEMT器件的制备方法，涉及半导体技术领域。包括以下步骤:S100，在外延片上制备延伸至Si衬底的U型槽；S200，在U型槽的内侧壁从下而上依次制备P型Si和N型Si；S300，在U型槽的槽底制备第一隔离层；S400，在U型槽内，第一隔离层的上方制备多晶硅，将U型槽填满；S500，从多晶硅的顶面的边缘处向下刻蚀，形成垂直向下延伸至P型Si侧的隔离腔，并在隔离腔内制备第二隔离层；S600，在多晶硅的上方制备栅电极；S700，刻蚀漏电极区域，并制备漏电极；S800，背面处理，并制备源电极。本发明器件的SiO2薄膜深宽比小，对工艺要求更小，工艺更加简单。

今年以来扬杰科技新获得专利授权6个，较去年同期减少了78.57%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了4.71亿元，同比增11.24%。

通过天眼查大数据分析，扬州扬杰电子科技股份有限公司共对外投资了28家企业，参与招投标项目263次；财产线索方面有商标信息9条，专利信息789条，著作权信息5条；此外企业还拥有行政许可247个。

数据来源：天眼查APP

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