晶合集成获得发明专利授权：“半导体结构及其形成方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构及其形成方法”，专利申请号为CN202511649237.7，授权日为2026年4月10日。

专利摘要：本发明提供一种半导体结构及其形成方法，栅极在栅极延伸方向上被切割成多段，相邻段栅极之间形成有栅极隔离结构，通过在侧壁氮化硅及在被暴露出来的衬底上引入水汽，利用疏水性原理，采用自对准工艺在栅极的顶部和栅极隔离结构的顶部形成保护层。在回刻工艺中，保护层保护栅极隔离结构的顶部不被刻蚀，仅刻蚀侧壁氮化硅，以使在栅极宽度方向上相邻栅极之间的沟槽满足预设深宽比。本发明意想不到的效果是不需要采用光刻工艺就能在特定区域实现形成局部保护层和刻蚀部分栅极的侧壁氮化硅，有利于避免相邻段栅极之间的栅极隔离结构的顶部形成凹陷，进而解决了短路的问题。

今年以来晶合集成新获得专利授权151个，较去年同期增加了65.93%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了14.53亿元，同比增13.2%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了11家企业，参与招投标项目642次；财产线索方面有商标信息75条，专利信息1601条，著作权信息9条；此外企业还拥有行政许可26个。

数据来源：天眼查APP

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