锴威特获得发明专利授权：“一种碳化硅超结MOSFET器件”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示锴威特（688693）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种碳化硅超结MOSFET器件”，专利申请号为CN202610085730.9，授权日为2026年4月3日。

专利摘要：本发明公开了半导体功率器件技术领域的一种碳化硅超结MOSFET器件，包括N型衬底、第一N型外延层、第二N型外延层和氧化物介质层，在N型衬底的下方设置漏电极;第一N型外延层生长在N型衬底的上方，第一N型外延层的中央处掺杂形成P柱区，第一N型外延层的两侧形成对称的P型区;第二N型外延层生长在第一N型外延层的上方，位于第二N型外延层的中间处的栅极沟槽氧化物。本发明通过在掺杂P柱区两侧形成浮空或短接的P型区来降低器件饱和电流，提高器件短路耐受能力,有利于栅氧介质及器件的长期可靠性，避免器件温度上升导致热失控，有效降低器件短路失效风险。

今年以来锴威特新获得专利授权4个，较去年同期减少了50%。结合公司2025年中报财务数据，2025上半年公司在研发方面投入了3525.5万元，同比增41.13%。

通过天眼查大数据分析，苏州锴威特半导体股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目26次；财产线索方面有商标信息10条，专利信息176条，著作权信息2条；此外企业还拥有行政许可10个。

数据来源：天眼查APP

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