芯联集成获得发明专利授权：“一种VDMOS器件及其制造方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示芯联集成（688469）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种VDMOS器件及其制造方法”，专利申请号为CN202211493435.5，授权日为2026年3月31日。

专利摘要：一种VDMOS器件及其制造方法，该方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上依次形成栅极介电层和栅极材料层；图案化栅极材料层和栅极介电层，以形成具有栅极挖断区域的栅极结构，其中，栅极结构包括至少两个栅极结构主体，以及位于相邻两个栅极结构主体之间的至少一个分隔结构，栅极结构主体与分隔结构之间为栅极挖断区域；沉积覆盖栅极结构的侧墙材料层；刻蚀侧墙材料层，以形成位于栅极结构两侧的栅极侧墙，以及位于栅极挖断区域中的离子注入阻挡层；以离子注入阻挡层为阻挡，对半导体衬底进行离子注入。本发明减小了栅漏电容，并且减少了栅极挖断工艺中所需的图案化工艺的次数。

今年以来芯联集成新获得专利授权17个，较去年同期增加了21.43%。结合公司2025年中报财务数据，2025上半年公司在研发方面投入了9.64亿元，同比增10.93%。

通过天眼查大数据分析，芯联集成电路制造股份有限公司共对外投资了19家企业，参与招投标项目1739次；财产线索方面有商标信息16条，专利信息774条，著作权信息3条；此外企业还拥有行政许可43个。

数据来源：天眼查APP

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