晶合集成获得发明专利授权：“半导体器件和半导体器件的制造方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体器件和半导体器件的制造方法”，专利申请号为CN202511861936.8，授权日为2026年3月27日。

专利摘要：本申请提供一种半导体器件和半导体器件的制造方法。该半导体器件包括：半导体衬底、源极、漏极和栅极；半导体衬底中设有与源极对应的源区和与漏极对应的漏区，源区和漏区之间设有沟道区；栅极设置在沟道区之上；沟道区与栅极的连接位置中设有阶梯功函数层，阶梯功函数层包含第一功函数层、第二功函数层和第三功函数层，其中第二功函数层分别与第一功函数层的末端和第三功函数层的首端连接，且第二功函数层与第一功函数层和第三功函数层的功函数大小不一致；第一功函数层的表面高度高于源区的表面高度，第三功函数层的表面高度高于漏区的表面高度。利用本申请技术方案，能够提升栅极对沟道区域的控制能力，提升半导体器件的电学性能。

今年以来晶合集成新获得专利授权134个，较去年同期增加了65.43%。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了14.53亿元，同比增13.2%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目638次；财产线索方面有商标信息75条，专利信息1538条，著作权信息9条；此外企业还拥有行政许可26个。

数据来源：天眼查APP

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