晶合集成获得发明专利授权：“一种半导体结构及其制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体结构及其制备方法”，专利申请号为CN202512003159.X，授权日为2026年3月20日。

专利摘要：本申请涉及一种半导体结构及其制备方法，包括：提供含衬底、浮置扩散区及源极跟随器的基底，源极跟随器的栅极结构位于衬底上表面，浮置扩散区在第一方向上位于栅极结构两侧；形成覆盖衬底与栅极结构的层间介质层；在层间介质层中形成位于栅极结构两侧的凹槽，凹槽的底部与栅极结构的顶部在第二方向间隔设置；形成覆盖凹槽的侧壁的掩膜层；基于掩膜层刻蚀形成底部分别显露浮置扩散区、栅极结构的第一接触孔、第二接触孔及连通两者的连接孔；形成覆盖第一、第二接触孔及连接孔的侧壁的低介电常数层；形成填充第一、第二接触孔及连接孔并覆盖低介电常数层的连接结构。本申请的半导体结构及其制备方法减少了器件的接触电阻的同时降低了寄生电容。

今年以来晶合集成新获得专利授权114个，较去年同期增加了90%。结合公司2025年中报财务数据，2025上半年公司在研发方面投入了6.95亿元，同比增13.13%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目638次；财产线索方面有商标信息75条，专利信息1523条，著作权信息9条；此外企业还拥有行政许可22个。

数据来源：天眼查APP

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