普冉股份获得发明专利授权：“闪存的制造方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示普冉股份（688766）新获得一项发明专利授权，专利名为“闪存的制造方法”，专利申请号为CN202310034211.6，授权日为2026年3月20日。

专利摘要：本发明公开了一种闪存的制造方法，包括：步骤一、提供半导体衬底。步骤二、形成存储单元的第一栅极结构。步骤三、形成外围器件的第二栅极结构。步骤四、形成第一层侧墙，包括：步骤41、形成第一侧墙材料层。步骤42、形成第二侧墙材料层。步骤43、进行刻蚀以在各栅极结构侧面自对准形成第二子侧墙。步骤44、将存储单元区中各第二子侧墙都去除。第一子侧墙由位于各栅极结构侧面的第一侧墙材料层组成。第一栅极结构的第一层侧墙由侧面的第一子侧墙组成。第二栅极结构的第一层侧墙由侧面的第一和第二子侧墙叠加而成。步骤五、沉积加刻蚀工艺在各栅极结构的侧面自对准形成第二层侧墙。本发明能减少存储区侧墙宽度和同时增加外围区侧墙宽度。

今年以来普冉股份新获得专利授权2个，与去年同期持平。结合公司2025年年报财务数据，2025年公司在研发方面投入了2.97亿元，同比增22.86%。

通过天眼查大数据分析，普冉半导体（上海）股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目7次；财产线索方面有商标信息35条，专利信息200条，著作权信息2条；此外企业还拥有行政许可7个。

数据来源：天眼查APP

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