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豪威集团获得实用新型专利授权:“一种中高压屏蔽栅极功率MOSFET版图及MOSFET”

证券之星消息,根据天眼查APP数据显示豪威集团(603501)新获得一项实用新型专利授权,专利名为“一种中高压屏蔽栅极功率MOSFET版图及MOSFET”,专利申请号为CN202520406177.5,授权日为2026年3月17日。

专利摘要:本申请实施例提供的一种中高压屏蔽栅极功率MOSFET版图及MOSFET,通过改变所述终端区离所述元胞区最近的所述第一沟槽区与所述元胞区的第二沟槽区之间,可以优化电荷平衡,避免尖端放电,从而优化IDSS,提高击穿电压。

今年以来豪威集团新获得专利授权13个,较去年同期增加了160%。结合公司2025年中报财务数据,2025上半年公司在研发方面投入了13.65亿元,同比增8.7%。

通过天眼查大数据分析,豪威集成电路(集团)股份有限公司共对外投资了45家企业,参与招投标项目11次;财产线索方面有商标信息59条,专利信息205条,著作权信息2条;此外企业还拥有行政许可15个。

数据来源:天眼查APP

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