晶合集成获得发明专利授权：“接触插塞及其形成方法、半导体器件的形成方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“接触插塞及其形成方法、半导体器件的形成方法”，专利申请号为CN202511695815.0，授权日为2026年3月3日。

专利摘要：本发明提供一种接触插塞及其形成方法、半导体器件的形成方法，先形成接触插塞的第一部分，接着去除牺牲层使接触插塞的第一部分凸出于第一电介质层，并在第三电介质层内形成接触插塞的第二部分，接触插塞的第一部分和接触插塞的第二部分电连接构成接触插塞。本发明意想不到的效果是，在不增加光罩的前提下，分别形成接触插塞的第一部分和接触插塞的第二部分，可得到结构及性能良好的接触插塞。以及通过去除牺牲层使接触插塞的第一部分凸出于第一电介质层，然后通过两段短接触插塞形成完整的长接触插塞，避免接触插塞过长造成接触孔填洞能力较差的问题，防止产生空洞，避免接触插塞与上层金属层之间的接触开路问题。

今年以来晶合集成新获得专利授权95个，较去年同期增加了187.88%。结合公司2025年中报财务数据，2025上半年公司在研发方面投入了6.95亿元，同比增13.13%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目637次；财产线索方面有商标信息75条，专利信息1657条，著作权信息9条；此外企业还拥有行政许可22个。

数据来源：天眼查APP

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