晶合集成获得发明专利授权：“一种半导体器件的制备方法及半导体器件”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体器件的制备方法及半导体器件”，专利申请号为CN202511511971.7，授权日为2026年2月24日。

专利摘要：本申请提供一种半导体器件的制备方法及半导体器件，涉及半导体器件技术领域，可以降低共享接触孔内的断路风险。方法包括：提供半导体初始结构，包括绝缘层以及间隔设置的栅极初始结构，绝缘层包括第一绝缘结构和第二绝缘结构，第一绝缘结构位于栅极初始结构的周侧，第二绝缘结构位于两个第一绝缘结构之间，第一绝缘结构之间具有第一开口；于栅极初始结构一侧形成蚀刻停止层；于第二绝缘结构一侧形成第一介质层；根据第一介质层，去除蚀刻停止层和部分第一绝缘结构，使得第一绝缘结构之间具有第二开口，第一开口的开口尺寸小于第二开口；于第一介质层一侧及栅极初始结构一侧形成第二介质层；去除部分第一介质层和第二介质层，得到共享接触孔。

今年以来晶合集成新获得专利授权79个，较去年同期增加了163.33%。结合公司2025年中报财务数据，2025上半年公司在研发方面投入了6.95亿元，同比增13.13%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目638次；财产线索方面有商标信息75条，专利信息1632条，著作权信息9条；此外企业还拥有行政许可22个。

数据来源：天眼查APP

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