晶丰明源获得发明专利授权：“LDMOS器件及其制造方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶丰明源（688368）新获得一项发明专利授权，专利名为“LDMOS器件及其制造方法”，专利申请号为CN202210826777.8，授权日为2026年2月24日。

专利摘要：本发明提供了一种LDMOS器件及其制造方法，在场氧化层的侧壁上形成具有阶梯侧壁的侧墙，并基于该具有阶梯侧壁的侧墙形成具有阶梯部的场极板，能够利用场极板的阶梯部来进一步优化场氧化层附近的漂移区的表面电场，且具有阶梯侧壁的侧墙能避免多晶硅位于漂移区的底部击穿，提供了更有效地RESURF结果，进而能实现更高的击穿电压和更低的导通电阻。此外，利用多层层叠的介质层进行相应的各向刻蚀工艺来制作具有阶梯侧壁的侧墙，工艺简单，且是自对准的，不需要套刻尺寸。

今年以来晶丰明源新获得专利授权5个，较去年同期增加了150%。结合公司2025年中报财务数据，2025上半年公司在研发方面投入了1.75亿元，同比减5.05%。

通过天眼查大数据分析，上海晶丰明源半导体股份有限公司共对外投资了22家企业，参与招投标项目7次；财产线索方面有商标信息54条，专利信息491条，著作权信息1条；此外企业还拥有行政许可3个。

数据来源：天眼查APP

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