晶合集成获得发明专利授权：“半导体结构及其键合方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构及其键合方法”，专利申请号为CN202511862533.5，授权日为2026年2月24日。

专利摘要：本发明涉及一种半导体结构及其键合方法，涉及半导体技术领域。其首先提供两个基底，该基底包括凹槽以及位于凹槽内的导电层，在垂直于基底的方向上，导电层的高度要小于凹槽高度，导电层上设置有复合材料层，该复合材料是在凹槽内的导电层上定向原位合成的，可以调控反应条件，控制复合材料生成的量，省去了传统工艺中对导电层的高度特调。复合材料的多孔结构在键合过程中可以容纳导电层的热熔扩散，既防止了导电层金属渗透基底，又通过骨架填充保障了导电连续性。复合材料层表面丰富的官能团使键合界面同时具备介电材料键合与复合材料间键合的协同效应，比现有键合强度更高，采用本申请的键合方法可以形成键合强度更高，可靠性更好的半导体结构。

今年以来晶合集成新获得专利授权79个，较去年同期增加了163.33%。结合公司2025年中报财务数据，2025上半年公司在研发方面投入了6.95亿元，同比增13.13%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目638次；财产线索方面有商标信息75条，专利信息1632条，著作权信息9条；此外企业还拥有行政许可22个。

数据来源：天眼查APP

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