晶合集成获得发明专利授权：“半导体结构及其制备方法、半导体器件”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构及其制备方法、半导体器件”，专利申请号为CN202511632337.9，授权日为2026年2月24日。

专利摘要：本申请涉及一种半导体结构及其制备方法、半导体器件，包括：衬底，衬底的第一表面上包括沿平行于第一表面的第一方向交替排列的层间介质层及金属栅；金属栅包括：介质叠层，沿朝向衬底的方向贯穿层间介质层；功函数叠层，向介质叠层内延伸，且其底面在第一表面的正投影位于介质叠层的底面之内；功函数叠层包括沿背离衬底的第二方向依次排列的功函数层及保护层；阻挡层，沿朝向衬底的方向贯穿保护层并延伸至功函数层内，且其底面在第一表面的正投影位于功函数层的底面之内；金属导电层，经由金属栅的顶面向阻挡层内延伸。能够保证功函数层表面和侧壁都有保护层保护功函数层，不会直接裸露在栅极表面，故后续制程的Wet HF不会伤害底部功函数层。

今年以来晶合集成新获得专利授权79个，较去年同期增加了163.33%。结合公司2025年中报财务数据，2025上半年公司在研发方面投入了6.95亿元，同比增13.13%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目638次；财产线索方面有商标信息75条，专利信息1632条，著作权信息9条；此外企业还拥有行政许可22个。

数据来源：天眼查APP

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