晶合集成获得发明专利授权：“半导体器件、浅沟槽隔离结构的清洗方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体器件、浅沟槽隔离结构的清洗方法”，专利申请号为CN202511648328.9，授权日为2026年2月10日。

专利摘要：本发明公开了一种半导体器件、浅沟槽隔离结构的清洗方法，属于半导体技术领域，该方法包括：提供一半导体器件，半导体器件包括硅衬底，硅衬底上层叠有多层半导体结构，在多层半导体结构中，表面层为二氧化硅材质，表面层的外表面存在需要清洗的残留物；采用等离子体氮化法对表面层的外表面进行处理，使得表面层的外表面被氮化形成氮氧化硅层；采用硫酸双氧水混合溶液蚀刻氮氧化硅层，在氮氧化硅层被蚀刻去除后，停止蚀刻，以清洗表面层的外表面残留物。该方法能够在二氧化硅损失可控的前提下实现清洗二氧化硅。

今年以来晶合集成新获得专利授权61个，较去年同期增加了205%。结合公司2025年中报财务数据，2025上半年公司在研发方面投入了6.95亿元，同比增13.13%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目636次；财产线索方面有商标信息75条，专利信息1616条，著作权信息9条；此外企业还拥有行政许可22个。

数据来源：天眼查APP

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