甬矽电子获得发明专利授权：“半导体封装结构及其封装方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示甬矽电子（688362）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体封装结构及其封装方法”，专利申请号为CN202511461017.1，授权日为2026年1月30日。

专利摘要：本申请公开一种半导体封装结构及其封装方法，涉及半导体技术领域，包括具有多层布线层的衬底以及层叠设置的第一芯片、第二芯片、第三芯片和第四芯片，衬底上开设有凹槽，第一芯片正装在衬底上且位于凹槽内，第二芯片倒装在衬底和第一芯片上，且第二芯片的凸点与布线层和第一芯片的焊盘连接，第二芯片上开设有第一通孔，第三芯片正装在第二芯片上，第四芯片倒装在第二芯片和第三芯片上，且第四芯片的导电柱穿设于第一通孔内以与第一芯片的焊盘连接，第四芯片的第一凸点与第三芯片的焊盘连接。该半导体封装结构通过优化芯片的层叠方式与互连路径，减少了TSV导电柱的使用，能够有效降低漏电流风险，提升HBM堆叠系统的稳定性与可靠性。

今年以来甬矽电子新获得专利授权6个，较去年同期增加了50%。结合公司2025年中报财务数据，2025上半年公司在研发方面投入了1.42亿元，同比增51.28%。

通过天眼查大数据分析，甬矽电子（宁波）股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目40次；财产线索方面有商标信息165条，专利信息451条，著作权信息9条；此外企业还拥有行政许可22个。

数据来源：天眼查APP

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