芯联集成获得发明专利授权：“屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示芯联集成（688469）新获得一项发明专利授权，专利名为“屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法”，专利申请号为CN202211493315.5，授权日为2026年1月27日。

专利摘要：本发明提供了一种屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法。该制备方法中，通过氧化屏蔽电极的凸出部以形成第一隔离层，并进一步利用预定条件下具有流动性的绝缘材料对第一隔离层和第二介质层之间的间隙进行填充，不仅可以填充间隙内的尖角形状的空隙，防止栅电极的底部产生夹角结构，并且还能够补偿隔离层的厚度，提高栅电极和屏蔽电极之间的隔离效果，进而降低器件的漏电流现象，提高器件的可靠性。

今年以来芯联集成新获得专利授权1个，较去年同期减少了50%。结合公司2025年中报财务数据，2025上半年公司在研发方面投入了9.64亿元，同比增10.93%。

通过天眼查大数据分析，芯联集成电路制造股份有限公司共对外投资了19家企业，参与招投标项目1734次；财产线索方面有商标信息16条，专利信息791条，著作权信息3条；此外企业还拥有行政许可43个。

数据来源：天眼查APP

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