晶合集成获得发明专利授权：“半导体结构的制备方法、半导体结构、半导体器件”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体结构的制备方法、半导体结构、半导体器件”，专利申请号为CN202510528637.6，授权日为2026年1月27日。

专利摘要：本申请提供了一种半导体结构的制备方法、半导体结构、半导体器件，所述制备方法包括：提供基底；基底包括衬底和形成于衬底表面的第一氧化层；其中，衬底包括第一区域和第二区域；在第一氧化层上形成第一栅极材料层；其中，第一栅极材料层包括位于第一区域上的第一牺牲栅极材料部和位于第二区域上的第一栅极材料部；利用第一栅极材料部作为掩膜，基于干法刻蚀工艺去除第一牺牲栅极材料部和第一牺牲氧化部，并在第一区域表面形成第二栅氧化部；其中，第二栅氧化部的厚度与第一栅氧化部的厚度不同。如此，能够改善制备双栅氧化层过程中出现的光阻脱落问题，提升双栅氧化层的质量，进而保证半导体结构的性能和良率。

今年以来晶合集成新获得专利授权19个，较去年同期增加了58.33%。结合公司2025年中报财务数据，2025上半年公司在研发方面投入了6.95亿元，同比增13.13%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目636次；财产线索方面有商标信息75条，专利信息1583条，著作权信息9条；此外企业还拥有行政许可22个。

数据来源：天眼查APP

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