晶合集成获得实用新型专利授权：“一种SRAM单元、SRAM电路和存储器”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项实用新型专利授权，专利名为“一种SRAM单元、SRAM电路和存储器”，专利申请号为CN202520403494.1，授权日为2026年1月23日。

专利摘要：本实用新型提供了一种SRAM单元、SRAM电路和存储器，包括10个MOS管，分别为M1、M2、M3、M4、M5、M6、M7、M8、M9和M10；M1、M3、M5、M6、M7、M8和M10为NMOS，M2、M4和M9为PMOS。该SRAM单元可以称为10T SRAM。10T SRAM是在现有的6T SRAM基础上增加4个MOS管得到的。10T SRAM在读写数据时，类似8T SRAM，10T SRAM的读写速度比8T SRAM的读写速度略慢，但是比6T SRAM的读写速度快。10T SRAM进行组合后，可以直接用于复制数据，复制数据时不再需要ALU，明显提高了复制数据的速度。

今年以来晶合集成新获得专利授权10个，较去年同期增加了66.67%。结合公司2025年中报财务数据，2025上半年公司在研发方面投入了6.95亿元，同比增13.13%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目636次；财产线索方面有商标信息75条，专利信息1583条，著作权信息9条；此外企业还拥有行政许可22个。

数据来源：天眼查APP

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