豪威集团获得发明专利授权：“一种沟槽栅MOSFET及其制备工艺”_股票频道

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示豪威集团（603501）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种沟槽栅MOSFET及其制备工艺”，专利申请号为CN202211620355.1，授权日为2026年1月9日。

专利摘要：本申请实施例提供的一种沟槽栅MOSFET及其制备工艺，在沟槽栅MOSFET制造工艺中，在沟槽形成之后，通过多次离子注入同时在沟槽底部及沟槽之间外延层形成第一注入区和第二注入区，在随后沟槽侧壁形成栅氧化层过程中完成第一注入区和第二注入区中杂质的激活，所以本申请实施例减少了热制程，优化了工艺。

今年以来豪威集团新获得专利授权5个。结合公司2025年中报财务数据，2025上半年公司在研发方面投入了13.65亿元，同比增8.7%。

通过天眼查大数据分析，豪威集成电路（集团）股份有限公司共对外投资了45家企业，参与招投标项目11次；财产线索方面有商标信息58条，专利信息205条，著作权信息2条；此外企业还拥有行政许可15个。

数据来源：天眼查APP

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