豪威集团获得发明专利授权：“一种沟槽式肖特基二极管制备方法及沟槽式肖特基二极管”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示豪威集团（603501）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种沟槽式肖特基二极管制备方法及沟槽式肖特基二极管”，专利申请号为CN202111510591.3，授权日为2026年1月9日。

专利摘要：本申请实施例提供了一种沟槽式肖特基二极管制备方法及沟槽式肖特基二极管，采用第一氧化硅层和掩蔽膜等多层膜结构作为沟槽掩蔽膜，在进行栅氧化过程中，采用硅局部氧化工艺，在氧化硅层和氮化硅层之间产生了一段厚氧化硅层，在后续多层掩蔽膜和第一氧化硅层刻蚀过程，由于该厚氧化硅层存在，有效补偿了多层膜刻蚀过程中栅氧化层的丢失，消除了沟槽结构缺陷，解决了反向漏电问题，提高了晶圆产品的良率。

今年以来豪威集团新获得专利授权5个。结合公司2025年中报财务数据，2025上半年公司在研发方面投入了13.65亿元，同比增8.7%。

通过天眼查大数据分析，豪威集成电路（集团）股份有限公司共对外投资了45家企业，参与招投标项目11次；财产线索方面有商标信息58条，专利信息205条，著作权信息2条；此外企业还拥有行政许可15个。

数据来源：天眼查APP

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