豪威集团获得发明专利授权：“一种具有屏蔽栅沟槽结构的晶体管及其制造方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示豪威集团（603501）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种具有屏蔽栅沟槽结构的晶体管及其制造方法”，专利申请号为CN202111024378.1，授权日为2026年1月9日。

专利摘要：本申请实施例公开了一种具有屏蔽栅沟槽结构的晶体管及其制造方法，该晶体管由于制作过程中选择性地对栅极沟槽对应的氧化层进行刻蚀后，在正表面上再次沉淀氧化物，因此，该晶体管栅极沟槽和源极沟槽之间的氧化层呈阶梯状，靠近源极沟槽的氧化层的厚度大于靠近栅极沟槽的氧化层的厚度，由于制造过程中通过光刻胶等临时保护材料对源极沟槽的遮蔽，使得源极沟槽内填充的氧化层中不再出现凹坑，避免了源极沟槽内的氧化层上的凹坑内进入栅极多晶硅，导致具备SGT结构的MOSFET存在栅极源极短路的风险。

今年以来豪威集团新获得专利授权5个。结合公司2025年中报财务数据，2025上半年公司在研发方面投入了13.65亿元，同比增8.7%。

通过天眼查大数据分析，豪威集成电路（集团）股份有限公司共对外投资了45家企业，参与招投标项目11次；财产线索方面有商标信息58条，专利信息205条，著作权信息2条；此外企业还拥有行政许可15个。

数据来源：天眼查APP

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