中微公司获得发明专利授权：“一种半导体结构及其形成方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示中微公司（688012）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体结构及其形成方法”，专利申请号为CN202310969082.X，授权日为2025年11月7日。

专利摘要：本发明公开了一种半导体结构及其形成方法，所述半导体的形成方法包括一反应器和一衬底，所述反应器包含反应区域和与反应区域相连通的第一气体分布腔和第二气体分布腔，通过第一气体分布腔向反应区域内通入第一反应气体，通过第二气体分布腔向反应区域内通入第二反应气体，所述第一反应气体和第二反应气体在衬底上进行P型层生长；所述第一反应气体至少包含V族前驱物和第一载气，所述第二反应气体至少包含P型掺杂前驱物、III族前驱物和第二载气。本发明通过调节第二载气相对于第一反应气体的相对流速或相对密度，使得第二反应气体传输速度更快，传输方向不易改变，P型层中P型掺杂离子的掺杂浓度提升，掺杂更均匀，进而提高半导体器件的性能。

今年以来中微公司新获得专利授权136个，较去年同期增加了36%。结合公司2025年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了11.16亿元，同比增96.65%。

通过天眼查大数据分析，中微半导体设备（上海）股份有限公司共对外投资了30家企业，参与招投标项目68次；财产线索方面有商标信息99条，专利信息1603条，著作权信息13条；此外企业还拥有行政许可77个。

数据来源：天眼查APP

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