新洁能获得发明专利授权：“一种低损耗MOSFET器件及其制造方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示新洁能（605111）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种低损耗MOSFET器件及其制造方法”，专利申请号为CN202210830084.6，授权日为2025年10月21日。

专利摘要：本发明涉及一种低损耗功率MOSFET器件及其制造方法。本发明在第一导电类型衬底上方设有第一导电类型外延层，在第一导电类型外延层内设有纵向沟槽，纵向沟槽内设有第一栅极和第二栅极，在第一导电类型外延层表面设有第二导电类型体区，在第二导电类型体区下方设有第二导电类型埋层，第二导电类型体区中设有第一导电类型源极和第二导电类型源极，第一导电类型源极和纵向沟槽相接，在纵向沟槽水平延伸的方向上，第二导电类型体区中还设有与纵向沟槽相邻的第一导电类型漏极。本发明提供的低损耗功率MOSFET器件降低了器件纵向漏电流，减小了器件静态功耗，提高了器件可靠性。

今年以来新洁能新获得专利授权3个，较去年同期减少了89.29%。结合公司2025年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了5297.1万元，同比增30.9%。

通过天眼查大数据分析，无锡新洁能股份有限公司共对外投资了18家企业，参与招投标项目23次；财产线索方面有商标信息74条，专利信息279条；此外企业还拥有行政许可49个。

数据来源：天眼查APP

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