东微半导获得发明专利授权：“IGBT器件的制造方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示东微半导（688261）新获得一项发明专利授权，专利名为“IGBT器件的制造方法”，专利申请号为CN202411371352.8，授权日为2025年10月17日。

专利摘要：本发明属于IGBT器件技术领域，具体公开了一种IGBT器件的制造方法，包括：在n型半导体层内形成若干个第一沟槽；通过倾斜的离子注入在型半导体层内形成位于第一沟槽一侧的沟道注入区，通过两次倾斜的离子注入形成p型体区；通过垂直的离子注入形成n型电荷存储区；通过倾斜的离子注入形成n型源区；通过自对准工艺形成第一栅极和第二沟槽；在第二沟槽形成第二栅极。本发明可以减少IGBT器件制造过程中的光刻工艺次数，降低IGBT器件的制造成本。

今年以来东微半导新获得专利授权9个。结合公司2025年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了4223.04万元，同比增8.89%。

通过天眼查大数据分析，苏州东微半导体股份有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目15次；财产线索方面有商标信息31条，专利信息159条，著作权信息1条；此外企业还拥有行政许可9个。

数据来源：天眼查APP

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