英诺赛科（02577.HK）披露为800 VDC电源架构提供全GaN电源解决方案，10月14日股价上涨4.91%

截至2025年10月14日收盘，英诺赛科（02577）报收于81.2元，较前一交易日上涨4.91%，该股当日开盘89.0元，最高91.8元，最低80.9元，成交额达9.37亿元。近52周最高106.1元，最低30.55元。

近日，英诺赛科发布自愿公告，宣布公司为800 VDC电源架构提供全GaN电源解决方案，赋能新一代AI Factories。公告指出，NVIDIA将支持800 VDC电源架构，该架构可为人工智能数据中心带来突破性进展，实现更高效率、更高功率密度，并降低能耗与二氧化碳排放。机架电压从48V提升至800V可使电流降低16倍，大幅减少I2R损耗及铜材需求。

英诺赛科正与NVIDIA合作，支持800 VDC电源架构，为新一代GPU路线图扩展提供保障。传统48V人工智能系统面临效率低、铜耗高等问题，超45%功耗用于散热。未来AI集群若沿用旧式设计，将无法容纳足够计算单元。800 VDC架构是实现系统从千瓦级跃升至兆瓦级的关键。

该架构要求在800V到1V转换中实现超高功率密度与效率，唯有氮化镓（GaN）功率器件可满足。为达成目标，电源开关频率需提升至近1MHz，可使磁芯尺寸缩减约50%。现有电源最高开关频率为300kHz。

英诺赛科第三代氮化镓技术具备多项优势：在800V输入侧，相比碳化硅（SiC），可降低80%驱动损耗与50%开关损耗，整体功耗降低10%；在54V输出端，仅需16颗GaN器件即达成32颗硅MOSFET的导通损耗，功率密度提升一倍，驱动损耗降90%；在低压转换阶段，相比硅MOSFET，开关损耗降70%，相同体积下功率输出提升40%。

英诺赛科为业内唯一实现1200V至15V氮化镓量产的全栈GaN供应商，可提供从800V到1V的全链路解决方案。其第三代器件通过2000小时动态HTOL测试、175°C高温验证及大样本失效分析，确保数据中心级产品寿命逾20年。

最新公告列表

• 《自愿公告 英诺赛科为800 VDC电源架构提供全GaN电源解决方案,赋能新一代AI Factories》

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