晶合集成获得发明专利授权：“一种半导体器件及其制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种半导体器件及其制备方法”，专利申请号为CN202511046837.4，授权日为2025年10月10日。

专利摘要：本发明提供一种半导体器件及其制备方法，包括设置在衬底上的栅极结构，栅极结构外侧的衬底中设置有源极掺杂区和漏极掺杂区，栅极结构外侧的衬底上设置有第一介质层，第一介质层的表面与栅极结构的表面齐平，第一介质层和栅极结构之间的衬底上设置有空腔，空腔至少暴露出源极掺杂区和漏极掺杂区，在第一介质层和栅极结构上形成有第二介质层中，第二介质层覆盖所述空腔，第二介质层中设置有第一凹槽和第二凹槽，第一凹槽暴露出部分空腔，第二凹槽暴露出栅极结构，第一凹槽和第一凹槽下方的空腔中形成有第一导电柱，第二凹槽中形成有第二导电柱，使得通过第一导电柱外侧存在空腔，降低了半导体器件的寄生电容。

今年以来晶合集成新获得专利授权290个，较去年同期增加了30.63%。结合公司2025年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了6.95亿元，同比增13.13%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目630次；财产线索方面有商标信息52条，专利信息1231条，著作权信息7条；此外企业还拥有行政许可21个。

数据来源：天眼查APP

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