久之洋获得发明专利授权：“区熔单晶硅基底的耐压型中波红外保护膜镀制方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示久之洋（300516）新获得一项发明专利授权，专利名为“区熔单晶硅基底的耐压型中波红外保护膜镀制方法”，专利申请号为CN202211573632.8，授权日为2025年9月30日。

专利摘要：本发明公开了一种区熔单晶硅基底的耐压型中波红外保护膜镀制方法，包括以下步骤：将区熔单晶硅基底采用超声波清洗，去除表面的抛光物残留；浸泡于化学溶液中，去除表面的氧化层；通过RF?PECVD方法在高偏压条件下在其表面制备C：H保护膜，厚度不超过150nm；在低偏压条件下制备C：H保护膜，厚度不超过400nm，即可得到区熔单晶硅基底的耐压型中波红外保护膜；本发明针对性采用了镀膜前表面清洗处理、氧化层去除工艺，有效解决了区熔单晶硅基底残留物影响膜基结合力的问题；同时，基于PECVD的沉积原理，采用了高、低偏压相结合的镀膜工艺方法，降低了膜层沉积过程的温度分布梯度，解决了膜系镀制可靠性差难以成膜的问题，提升了其环境耐候性及可靠性。

今年以来久之洋新获得专利授权17个，较去年同期减少了51.43%。结合公司2025年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了3370.61万元，同比减10.6%。

通过天眼查大数据分析，湖北久之洋红外系统股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目3924次；财产线索方面有商标信息13条，专利信息373条，著作权信息50条；此外企业还拥有行政许可5个。

数据来源：天眼查APP

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