晶合集成获得发明专利授权：“一种MOSFET栅极功函数的获取方法及系统”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种MOSFET栅极功函数的获取方法及系统”，专利申请号为CN202510665634.7，授权日为2025年9月30日。

专利摘要：本发明属于微电子器件技术领域，公开一种MOSFET栅极功函数的获取方法及系统，该方法首先获取待测MOS器件的实际阈值电压，并根据待测MOS器件栅极的类型对待测MOS器件的栅极功函数进行预先设定；然后将所述预设功函数输入预设的仿真模型中进行拟合，获取拟合的阈值电压，当实际的阈值电压与拟合的阈值电压误差小于预设的误差值时，所述预设功函数为待测MOS器件的栅极电性功函数。综上所述，该方法通过仿真的方法，将待测MOS器件的实际阈值电压与拟合阈值电压进行比较，有效提升了获取的MOSFET栅极功函数的准确度、重复性和可靠性。

今年以来晶合集成新获得专利授权285个，较去年同期增加了28.38%。结合公司2025年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了6.95亿元，同比增13.13%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目630次；财产线索方面有商标信息52条，专利信息1233条，著作权信息7条；此外企业还拥有行政许可21个。

数据来源：天眼查APP

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