芯导科技获得发明专利授权：“SiCTrenchMOSFET器件的制造方法、器件、设备以及制作方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示芯导科技（688230）新获得一项发明专利授权，专利名为“SiCTrenchMOSFET器件的制造方法、器件、设备以及制作方法”，专利申请号为CN202211464292.5，授权日为2025年9月23日。

专利摘要：本发明提供了一种SiC Trench MOSFET器件的制造方法，包括：提供一衬底；在衬底上依次形成缓冲层、第一外延层以及第一栅氧层；其中，第一外延层包括一凹槽；第一栅氧层形成于凹槽中；形成第二外延层、体区离子注入层、源区离子注入层、p型离子注入层、p+型离子注入层、第二栅氧层、栅极沟槽、栅极、层间介质层、接触孔以及金属层；其中，形成的第一栅氧层的厚度为200?500nm。本申请提供的技术方案，通过分步外延的方式，解决了形成的第一栅氧层的厚度无法满足器件性能要求的技术问题，进而解决了因底部栅氧厚度没有达到要求而导致的器件击穿电压较小的问题，从而实现了对SiC Trench MOSFET器件较为薄弱的沟槽底部得以有效保护的技术效果。

今年以来芯导科技新获得专利授权12个，较去年同期增加了100%。结合公司2025年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了1533.63万元，同比减10.9%。

通过天眼查大数据分析，上海芯导电子科技股份有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目4次；财产线索方面有商标信息7条，专利信息131条，著作权信息1条；此外企业还拥有行政许可5个。

数据来源：天眼查APP

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