芯导科技获得发明专利授权：“SGTmosfet器件及其制备方法、电子设备及其制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示芯导科技（688230）新获得一项发明专利授权，专利名为“SGTmosfet器件及其制备方法、电子设备及其制备方法”，专利申请号为CN202211711010.7，授权日为2025年9月23日。

专利摘要：本发明提供了一种SGT mosfet器件的制备方法，包括：形成衬底、第一外延层、第一场氧层以及第一栅极沟槽；形成屏蔽栅极以及空腔；屏蔽栅极填充于部分第一栅极沟槽中；屏蔽栅极的顶端未被填充的第一栅极沟槽形成空腔；其中，屏蔽栅极顶端是平整表面；形成栅间氧化层、第二外延层、第二场氧层以及栅极；形成层间介质层、体区离子注入区、源区离子注入区以及接触孔；其中，体区离子注入区和源区离子注入区，沿远离第一外延层的方向上依次形成于栅极周围的第二外延层中；层间介质层形成于栅极与源区离子注入区表面；接触孔贯穿层间介质层，体区离子注入区和部分源区离子注入区。该技术方案解决了如何缩小SGT mosfet器件的特征尺寸的问题。

今年以来芯导科技新获得专利授权12个，较去年同期增加了100%。结合公司2025年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了1533.63万元，同比减10.9%。

通过天眼查大数据分析，上海芯导电子科技股份有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目4次；财产线索方面有商标信息7条，专利信息131条，著作权信息1条；此外企业还拥有行政许可5个。

数据来源：天眼查APP

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